Научно-исследовательский центр «Передовые синтетические исследования» - предприятие по выращиванию высококачественных монокристаллов алмаза типа IIа, IIв и IIа+Iв размерами от 10 карат и выше для индустриальных применений.
Оригинальная высокоэффективная технология, основанная на методе HPHT (High Pressure High Temperature), являющейся "ноу-хау" предприятия, обеспечивающая высокую производительность при низких затратах за счет одновременного выращивания в контейнере мультизатравочным способом нескольких кристаллов.
Данная технология обеспечивает синтез алмазов высочайшего качества с заданными характеристиками, гарантирующими их высокоэффективное применение в производстве изделий технического назначения (матриц для выращивания кристаллов методом CVD, подложек для электроники, пластин для изготовления оптических изделий различных диапазонов, включая рентгеновских, а также алмазных наковален, изделий для медицины, режущего и бурового инструмента).
В основе производства задействовано мощное прессовое оборудование – 16 кубических пресса мод. 950 (литые) и 1000 (кованые). Данное оборудование модернизировано и оснащено современными системами гидравлики, разработанными АСУТП (системами нагружения, нагрева, охлаждения, вентиляции, кондиционирования и системами бесперебойного питания) и технологиями выращивания крупных и особо крупных кристаллов мульти-затравочным методом. В основе производства также планируется использовать оборудование, которое позволит использовать на предприятии современные технологии прогнозирования и раскроя сырья, лазерной резки и обработки кристаллов, нанесения эпитаксиальных и имплантированных слоев.
Технология EPI READY и CVD эпитаксия
CVD – установки с технологией нанесения различных эпитаксиальных слоев (производства ИПФ) позволят поднять на следующий уровень качество и технические характеристики выпускаемых подложек. Благодаря данной технологии мы планируем наносить эпитаксиальные слои N-типа (допирование бором) и P-типа (допирование фосфором) на пластины собственного производства.
Алмаз в электронике
Алмаз является привлекательным материалом для изготовления различных электронных устройств. Его применяют для изготовления как пассивных устройств (например теплоотводов, звукопроводов), так и в качестве полупроводникового материала активных приборов (высокочастотных транзисторов, детекторов).
Алмаз – радиационно стойкий материал, прозрачен в широком диапазоне спектра от УФ до радиоволнового, обладает рекордной скоростью распространения звука (18 км/с), низкой диэлектрической проницаемостью ε=5,7)
Новые перспективы применения алмаза в высокотехнологичных областях появились в результате разработки технологии синтеза CVD.
Основные достоинства газофазного синтеза CVD алмаза:
– большие размеры пластин;
– высокая воспроизводимость физических параметров благодаря более легкому контролю условий роста и чистоты используемых газов;
– возможность выращивания пленок;
– возможность выращивания изделий заданной формы на профилированных подложках (метод реплики), что позволяет сократить затраты на послеростовую обработку;
– возможность локального нанесения алмазных слоев и дорожек на поверхности различных материалов.
